DBC-023电力半导体器件 阻断特性测试台

一、基本原理

本设备根据国家标准GB4023-83《半导体器件整流二极管的测试方法》和GB4024-83《半导体器件反向阻断三极晶闸管的测试方法》设计制造，符合JB/T7624-94和JB/T7626-94要求。可用以测量晶闸管V DM、V RM、I DM、I RM等参数。还可以测量普通整流二极管的V RM、I RM等参数。

为了在测试中不损坏元件，本仪器设有两级过流自动保护电路，提高了仪器的可靠性。峰值电压和峰值电流均采用同步采样，数字显示。当需要观察伏安特性曲线时，前面板备有专用外接示波器接线端子。

本仪器测试方法为正弦法：采用标准规定的底宽为10ms的正弦半波。

二、主要技术指标

１、 峰值电压V DM、V RM: 0.10 KV—10.00 KV可调，实际使用0.40,KV—10.00 KV可调，采用4位数字电压表，显示分辨率10 V，精度3%。

２、 峰值电流I DM、I RM: 最大100.0  mA可调，显示分辨率0.1 mA，精度3%,或±0.2mA。